BUK766R0-60E,118 与 IPB054N06N3 G 区别
| 型号 | BUK766R0-60E,118 | IPB054N06N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK766R0-60E,118 | A-IPB054N06N3 G |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.4mΩ |
| 上升时间 | - | 68ns |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 182W | 115W |
| Qg-栅极电荷 | - | 82nC |
| 输出电容 | 447pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 47S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 32ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT404 | - |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 75A | 80A |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | OptiMOS3 |
| 输入电容 | 3390pF | - |
| 长度 | - | 10mm |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 6mΩ@10V | - |
| 下降时间 | - | 9ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 24ns |
| 高度 | - | 4.4mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 40 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK766R0-60E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 182W 175°C 3V 60V 75A |
暂无价格 | 40 | 当前型号 |
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IRFS3307ZTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@75A,10V N-Channel 75V 120A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF1407STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.8mΩ@78A,10V N-Channel 75V 100A TO-263 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPB054N06N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 80A 4.4mΩ 20V 115W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF3808STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 75V 106A(Tc) ±20V 200W(Tc) 7mΩ@82A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOB2606L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 30V 72A 115W 6.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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